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工商時報【涂志豪╱台北報導】國際IDM廠全力搶進寬能隙（WBG）材料的氮化鎵（GaN）及碳化矽（SiC）等新一代金氧半場效電晶體（MOSFET）市場，也帶動許多GaN及SiC新創IC設計業者加入戰局。看好GaN、SiC晶圓代工及磊晶矽晶圓需求，漢磊投控（3707）旗下晶圓代工廠漢磊科、磊晶矽晶圓廠嘉晶（3016）等已經準備好了，6吋WBG製程正式進入量產，下半年將開始擴大接單。2019年上半年功率半導體晶圓代工及磊晶矽晶圓市況不佳，在產能利用率下修情況下，漢磊投控及嘉晶財報表現不盡理想。嘉晶上半年合併營收20.21億元，毛利率降至8.0％，歸屬母公司稅後淨利0.31億元，每股淨利0.11元。加計漢磊科的漢磊投控上半年合併營收27.99億元，毛利率降至1.6％，歸屬母公司稅後淨損2.29億元，每股淨損0.81元。近幾年來包括電動車及綠能電力儲存等應用興起，5G及大型資料中心等高效能運算及高速資料傳輸需求大增，能夠支援更高工作電壓的SiC元件，以及可以有更高切換開關速度的GaN元件，已經成為功率半導體市場新顯學。隨著國際IDM廠開始量產各式SiC及GaN功率元件及模組，許多新創IC設計公司也加入戰局，老葉新枝在WBG元件市場百家爭鳴，也帶動SiC及GaN晶圓代工需求在下半年進入高速成長期。漢磊投控很早就開始投入WBG製程研發，旗下晶圓代工廠漢磊科順利在7月開始量產6吋WBG製程，受到市場高度關注。漢磊科2015年開始投入WBG材料電晶體生產，除了利用4吋廠為客戶代工600V∼1200V的SiC蕭特基二極體（SBD）及SiC MOSFET，6吋廠已開始為客戶提供SiC晶圓代工服務。漢磊科朝向1700V更高壓的SiC SBD元件技術發展，並投入SiC溝槽式MOSFET代工，6吋SiC晶圓代工生產線可帶來更大優勢，加上漢磊科在背面減薄技術上有所突破，可以將SiC晶圓減薄至100微米，旗下三座晶圓廠都已通過車規認證，未來在SiC元件晶圓代工市場將占有一席之地。漢磊科亦提供6吋的矽基氮化鎵（GaN on Si）晶圓代工服務外，亦與特定客戶合作開發0.5微米的30V∼350V電壓GaN MOSFET及100V以下電壓GaN IC的增強型高電子遷移率電晶體（E－mode HEMT）製程，並已可以接單量產。至於同屬漢磊控股下的嘉晶已量產WBG磊晶矽晶圓，包括600V∼1200V的4吋及6吋SiC磊晶矽晶圓可以開始出貨給客戶，並推出100V∼600V的6吋矽基GaN磊晶矽晶圓，這是擁有自有專利的磊晶技術，而且具有低阻值磊晶增加電流密度特性。